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从上海车展探新能源未来发展之路

2023-04-21 08:50:00 fzw13457803 943
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车企加码新能源,IGBT和SIC未来发展可期

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近期,2023第二十届上海国际汽车工业展览会在上海国家会展中心正式开幕。本届车展以“拥抱汽车行业新时代” 为主题,着力聚焦新能源转型趋势。展会期间,国内外各大知名车企都积极推出新产品,除了造车新势力,宝马、比亚迪等行业传统领军企业都选择以全电动化阵容参展。上海市国际贸易促进委员会会长周敏浩表示,本届上海车展展出的整车数量在1500台以上,其中新能源汽车占了大约三分之二。


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目前,中国汽车市场正面临着供需错配及结构性调整等问题。受汽车价格下降、促销政策取消等多重因素叠加影响,国内今年第一季度的汽车销售情况不太理想。尽管如此,市场需求的波动并未减缓汽车“新四化”转型速度,国内新能源汽车继续保持较快增长。


根据中汽协数据显示,2023年3月新能源汽车产销分别为67.4万辆和65.3万辆,同比增长44.8%和34.8%,预计今年第二季度将继续实现高速增长。国内新能源车终端需求持续升温,将有力推动其产业链上下游的零部件供应商的发展,因此核心功率半导体器件的需求也在不断增长。


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2021-2023年3月新能源汽车月度销量(万辆)

图片来源:中汽协,华金证券研究所


新能源车有力推动车规级IGBT市场发展

IGBT模块是新能源汽车的核心器件,IGBT的性能可直接影响新能源汽车功率的释放速度,被广泛应用于电机控制器、车载空调、充电桩等设备。IGBT模块的作用是交流电和直流电的转换,同时IGBT模块还承担电压的高低转换的功能。电能的转化效率和稳定性,直接决定了新能源汽车的充电效率、电能利用率、电流输出稳定性等性能。不同车型所需的逆变器功率不同,高功率逆变器对IGBT的性能要求更高。


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新能源汽车功率器件驱动芯片分布图

图片来源:网络


2020年,中国新能源汽车销售额占全球新能源汽车销售额的40.7%,中国汽车制造商比亚迪在全球范围内销售新能源汽车17.9万辆,位居全球第三位。随着新能源汽车的快速发展,IGBT的需求量也在持续增加,从而有力推动IGBT市场的发展。此外,中国充电桩数量的增加,也进一步带动了IGBT需求增长。


受限于技术壁垒、资金及品牌壁垒,中国IGBT产能严重不足,市场供给缺口较大,产品及核心元件的对外依存度较高,2020年中国IGBT需求19,076只,但是该行业产量仅为1,846只。


未来,汽车电动化、智能化将推动车规级IGBT成为增长最快的细分领域,远超行业平均增速。产品附加值高、技术壁垒高的大功率IGBT仍然是未来国产替代的主要方向


新能源车为 SiC器件带来巨大增量

随着续航问题逐渐成为电动车发展的重心,高压快充已是大势所趋,利于充电性能和整车运行效率大幅提升的800V快充平台加速布局,其研发对电机的绝缘性和耐高温性提出了较高要求。


相比于已达到材料极限的硅基IGBT,碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,有效降低汽车电耗,提高电动汽车续航里程。


新能源车销量持续提升,碳化硅市场空间广阔。

Yole 数据于2022年的预测


碳化硅器件的全球市场在2021年为10.9亿美元,至2027年增长至62.97亿美元,年复合增长率34%,其中新能源车用碳化硅占市场主导地位,且市场占比将由2021年63%提升至2027年79%。


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图片来源:Yole


自2018年特斯拉在Model 3上规模化使用碳化硅模组以来,越来越多的车厂正在转向在电驱中使用碳化硅MOSFET器件,当前越来越多的国内主机厂也开始引入碳化硅功率器件。未来,随着新能源车对大电流、高电压的需求,有望推动SiC器件在新能源汽车中渗透率进一步提升。


国产替代加速

从全球市场竞争格局来看,欧美日厂商资金实力雄厚、技术水平领先、产业经验丰富,凭借先发优势抢占了全球功率半导体绝大多数的市场份额,并且一直保持较大的领先优势。国内厂商在全球竞争中不具备优势,所占市场份额较低。在国内市场竞争格局中,国际大厂仍占据绝大部分市场份额,国产化率低于20%。


得益于IGBT产品更新迭代缓慢,给予本土IGBT企业技术追赶时间,部分企业已实现技术突破,并逐步批量应用于电动汽车。此外,虽然碳化硅产业起步较晚,但是国内功率半导体供应商正积极布局碳化硅,有望加速碳化硅在国内的搭载速度。整体而言,中国IGBT产业链正逐步具备国产替代能力,SiC产业链也正在奋力追赶。


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本届上海车展成为新能源车的主场,汽车行业彻底迈入智电时代,中国汽车市场的活力也在持续迸发。功率半导体作为电动化核心部件,具有很高的市场进入门槛,目前国产化率低,供应长期被欧美日企业垄断,随着一系列产业政策出台、新能源车需求爆发和技术突破等因素,IGBT和SiC国产替代将迎来巨大的发展前景。

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